N-channel Mosfet
I 10 migliori prodotti di febbraio 2025
Ultimo aggiornamento:
8 febbraio 2025
HUABAN
HUABAN 10 pezzi IRFZ44N Vdss=55V Rds (on) = 0,0175 ohm Id= 49A TO220 Power N-Channel MOSFET Transistor
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99
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#1 VINCITORE
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MOSFET a canale N
Numero parte: IRFZ44N
Vdss=55V, Rds (on) = 0,0175 ohm, Id=49A
Quantità della confezione: 10 pezzi
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HUABAN
HUABAN 10 Pezzi 10N65 650V 10A TO-220F N-CHANNEL MOSFET Transistor
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98
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#2
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N-Channel MOSFET Transistor
Part Number: 10N65 ;Package: TO-220F
Vdss=650V;Id=10A
Package Quantity: 10 Pezzi
13,00 € SU AMAZON
HUABAN
HUABAN 5 Pezzi IRFP064N 55V 110A TO-247AC N-CHANNEL MOSFET Transistor
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95
QUALITÀ OTTIMA
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#3
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N-Channel MOSFET Transistor
Part Number: IRFP064N ;Package: TO-247AC
Vdss=55V;Id=110A
Package Quantity: 5 Pezzi
14,00 € SU AMAZON
MMMO
Kit di 40 MOSFET N-Channel e P-Channel AO3400 AO3401 AO3402 AO3404 AO3406 AO3407 AO3415 AO3416
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#4
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📦 40 MOSFET N-Channel e P-Channel delle serie AO34 in formato SOT23
📃 5x AO3400, 5x AO3401, 5x AO3402, 5x AO3404, 5x AO3406, 5x AO3407, 5x AO3415, 5x AO3416
✉️ Componenti protetti in busta antistatica richiudibile
🔧 Specifiche tecniche riportate in descrizione
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DollaTek
DollaTek 6 pezzi IRFP260N N-Channel MOSFET Transistor 50A 200V A 247AC
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85
QUALITÀ AFFIDABILE
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#5
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HEXFET di quinta generazione da International Raddrizzatore utilizzano.
Tecniche di lavorazione avanzate per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio.
Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione veloce e il design del dispositivo robusto che HEXFET Power,temperatura di funzionamento 175°C.
I MOSFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il TO-247 è simile ma superiore al precedente pacchetto TO-218 a causa del suo foro di montaggio isolato.
8,99 € SU AMAZON
MMMO
Kit di 80 MOSFET N-Channel e P-Channel AO3400 AO3401 AO3402 AO3404 AO3406 AO3407 AO3415 AO3416
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82
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#6
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📦 80 MOSFET N-Channel e P-Channel delle serie AO34 in formato SOT23
📃 10x AO3400, 10x AO3401, 10x AO3402, 10x AO3404, 10x AO3406, 10x AO3407, 10x AO3415, 10x AO3416
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EMSea
EMSea 100x N-Channel 2N7000 MOSFET Transistor ESD nominale TO-92 0.3A 60V 3Pin Raddrizzatore Internazionale Potenza per l'industria domestica e fai da te
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#7
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Modello: 2N7000; Corrente di scarico continua: 0,3A; Tensione Vds Max: 60V; Polarità transistor: N-Channel.
Materiale durevole: il transistor è realizzato in materiale semiconduttore di ossido di metallo, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata.
Tecnologia di processo avanzata: il transistor è una sorta di componente elettronico di precisione con elevata resistenza in ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e una vasta gamma dinamica.
Applicazione: il tubo MOSFET è una sorta di elemento di controllo della tensione. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori in modalità commutata, amplificatore audio, controllo motore DC e applicazioni di alimentazione a commutazione variabile.
Multifunzione: raddrizzatore a canale N con molteplici funzioni come rilevamento, rettifica, amplificazione, commutazione, stabilizzazione della tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzato in circuiti integrati su larga scala e molto grande.
16,58 € SU AMAZON
HUABAN
HUABAN 5 Pezzi 12N65 650V 12A TO-220F N-CHANNEL MOSFET Transistor
77
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#8
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N-Channel MOSFET Transistor
Part Number: 12N65 ;Package: TO-220F
Vdss=650V;Id=12A
Package Quantity: 5 Pezzi
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MMMO
10 PEZZI MOSFET N-Channel SI2302 A2SHB SMD SOT-23
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73
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#9
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📦 10 MOSFET N-Channel SI2302 A2SHB in formato SMD SOT-23
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Youmile
Youmile 20 pz IRF520N Mosfet Transistor N-Channel Power MOSFET TO-220AB 9.7A 100V 3Pin transistor ad effetto di campo con rondella vite dissipatore Cacciavite in gomma siliconica
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#10
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【Cosa fa】: il transistor Mosfet IRF520N è un dispositivo semiconduttore di potenza comunemente utilizzato nei circuiti elettronici e viene solitamente utilizzato come interruttore elettronico, raddrizzatore controllabile, ecc.
【Tecnologia di processo avanzata】: il transistor Mosfet IRF520N è una sorta di componente elettronico di precisione con elevata resistenza di ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e un'ampia gamma dinamica.
【Materiale durevole】: il transistor Mosfet IRF520N è realizzato in materiale semiconduttore di ossido di metallo, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata.
【Parametro】: Modello: IRF520N; Current Id continuo: 9.7A; Drain Source Voltage Vds: 100V; Transistor polarity: N-Channel; Current Idm pulse: 38A. per visualizzare https://www.alldatasheet.com/view.jsp?
【Multifunzione】: raddrizzatore a canale N con molteplici funzioni come rilevamento, rettifica, amplificazione, commutazione, stabilizzazione della tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzato in circuiti integrati su larga scala e su larga scala.
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mosfet n channel
mosfet n
n mosfet
mosfet p channel
mosfet p-channel
p channel mosfet
p-channel mosfet
#1 VINCITORE
