Mosfet P Channel
I 10 migliori prodotti di febbraio 2025
Ultimo aggiornamento:
17 febbraio 2025
Innfeeltech
Innfeeltech 10 pezzi MOSFET transistor IRF4905 74A 55V effetto campo tubi P-canale To-220 di potenza MOSFET Feld effetto transistor raddrizzatore
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99
QUALITÀ MASSIMA
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#1 VINCITORE
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Il pacchetto include: 10 pezzi IRF4905 transistor MOSFET
Regolamenti: Corrente di scarico MAX 74A, Tensione MAX Vds 55V, Potenza Max 200W
Temperatura di esercizio: da -55 °C a +175 °C
Polarità del transistor: Transistor a canale P PMOS. Pacchetto incapsulato To-220AB
Applicazione: Si applica alle applicazioni di commutazione ad alta potenza e di amplificazione del segnale nei dispositivi elettronici.
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MMMO
Kit di 5 MOSFET P-Channel IRF9540
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96
QUALITÀ SUPERIORE
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#2
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📦 5 MOSFET P-Channel IRF9540 in formato TO-220
✉️ Componenti protetti in busta antistatica richiudibile
🔧 Specifiche tecniche riportate in descrizione
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MMMO
Kit di 5 MOSFET P-Channel IRF9530
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92
QUALITÀ OTTIMA
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#3
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📦 5 MOSFET P-Channel IRF9530 in formato TO-220
✉️ Componenti protetti in busta antistatica richiudibile
🔧 Specifiche tecniche riportate in descrizione
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CHANZON
Chanzon AOD409 TO-252 P-Channel effetto di potenziamento MOSFET -26A Transistor SMD 10pcs
90
QUALITÀ DISTINTA
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#4
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Panoramica: TO252 P-Channel Enhancement MOSFET AOD 409, Corrente: -26A
Triodo di giunzione bipolare originale Transistor
Per progetti elettronici fai da te
20,99 € SU AMAZON
MMMO
10 PEZZI MOSFET P-Channel SI2301 A1SHB SMD SOT-23
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88
QUALITÀ DISTINTA
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#5
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📦 10 MOSFET P-Channel SI2301 A1SHB in formato SMD SOT-23
✉️ Componenti protetti in busta antistatica richiudibile
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MMMO
Kit di 80 MOSFET N-Channel e P-Channel AO3400 AO3401 AO3402 AO3404 AO3406 AO3407 AO3415 AO3416
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82
QUALITÀ AFFIDABILE
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#6
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📦 80 MOSFET N-Channel e P-Channel delle serie AO34 in formato SOT23
📃 10x AO3400, 10x AO3401, 10x AO3402, 10x AO3404, 10x AO3406, 10x AO3407, 10x AO3415, 10x AO3416
✉️ Componenti protetti in busta antistatica richiudibile
🔧 Specifiche tecniche riportate in descrizione
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Be In Your Mind
Be In Your Mind 10Pcs IRF4905 MOSFET Transistor TO-220 P-Channel Feld Effect Transistor 74A 55V Campo Effetto Tubi Raddrizzatore Canale P 2.54mm
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QUALITÀ BUONA
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#7
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Modello: IRF4905; ID corrente di scarico continuo: 74A; Tensione di sorgente di scarico Vds: 55V; polarità transistor: P-Channel.
Materiale durevole: il transistor è realizzato in materiale a semiconduttore di ossido di metallo, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata.
Tecnologia di processo avanzata: Il transistor è un genere di componente elettronico di precisione con elevata resistenza in ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e una vasta gamma dinamica.
Applicazione: È un dispositivo a semiconduttore di potenza comunemente usato nei circuiti elettronici, che può essere utilizzato come interruttori elettronici, raddrizzatori controllabili, ecc.
Multifunzione: raddrizzatore a canale P con molteplici funzioni come rilevamento, rettifica, amplificazione, commutazione, stabilizzazione di tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzato in circuiti integrati su larga scala e molto larga scala.
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AUKENIEN
AUKENIEN Transistor Mosfet Set 12 Valori 24 Pezzi IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRF3205 IRF9540N N P Channel Transistori Kit TO-220
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75
QUALITÀ BUONA
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#8
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AUKENIEN Kit Assortimento Transistor di Potenza MOSFET.
Modello a Transistor Mosfet: IRFZ44N (49A/55V), IRF510N (5,6A/100V), IRF520N (9,7A/100V), IRF530N (17A/100V), IRF540N (33A/100V), IRF640N (18A/200V), IRF740 (10A/400V), IRF820 (2,5A/500V), IRF830 (4,5A/500V), IRF840 (8A/500V), IRF3205 (110A/55V), IRF9540N (23A/100V).
Transistor Mosfet (pacchetto TO-220) è realizzato con materiali standard di alta qualità con certificazione RoHS completa.
Transistor Mosfet con certificazione RoHS completa sono pratici, altamente precisi e stabili.
Cosa Ottieni: Kit di assortimento di transistor mosfet con una pratica confezione per una comoda conservazione e utilizzo e un servizio clienti amichevole AUKENIEN.
14,99 € SU AMAZON
BiblioScholar
The Combined Effects of Radio Frequency and Gamma Irradiation on P-Channel Mosfets
73
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#9
VDM Verlag
Defect generation in oxides of p-channel MOSFETs in presence of water: A Study
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#10
mosfet p-channel
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