Wafer Di Silicio
I 10 migliori prodotti di febbraio 2025
Ultimo aggiornamento:
8 febbraio 2025
Alpha Nanotech Inc.
Alpha Nanotech Prime-Grade 2'' Wafer di silicio (tipo N, 300 um) (Qtà: 1)
99
QUALITÀ MASSIMA
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#1 VINCITORE
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Grado: Prime / CZ Virgin
Orientamento: 100
Tipo/Dopant: N/Fosforo
Superficie anteriore: lucidata, superficie posteriore: incisa
TIR < 3 μm, TTV < 10 μm, BOW < 10 μm, rugosità < 0,5 nm
16,22 € SU AMAZON
Alpha Nanotech Inc.
Alpha Nanotech Prime-Grade DSP 4'' Wafer di silicio (tipo P, 525 um, 0,001-0,005 ohm cm) (1)
98
QUALITÀ MASSIMA
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#2
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Grado: Prime / CZ Vergine, Resistività: 0,001-0,005 ohm cm
Orientamento: 100
Tipo/Dopant: P/Boro
Superficie anteriore: lucidata, superficie posteriore: lucida
TIR < 3 μm, TTV < 10 μm, BOW < 10 μm, rugosità < 0,5 nm
24,32 € SU AMAZON
Alpha Nanotech Inc.
Alpha Nanotech Prime-Grade 6'' Wafer di silicio (tipo N, 500 um) (Qtà: 10)
95
QUALITÀ OTTIMA
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#3
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Grado: Prime/CZ Vergine, Spessore: 500 um +/- 10 um
Orientamento: 100, Resistività: 1 - 30 ohm cm
Tipo/Dopant: N/fosforo drogato
Superficie anteriore: lucidata, superficie posteriore: incisa
TIR < 3 μm, TTV < 10 μm, BOW < 10 μm, rugosità < 0,5 nm
230,75 € SU AMAZON
Alpha Nanotech Inc.
Alpha Nanotech Prime-Grade 4'' Wafer di silicio (non drogato, 525 um) (25)
89
QUALITÀ DISTINTA
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#4
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Grado: Prime / FZ Virgin, spessore: 525 um +/- 10 um
Orientamento: 100, Resistività: > 10.000 ohm cm
Tipo/Dopant: non dopato/intrinseco
Superficie anteriore: lucidata, superficie posteriore: incisa
TIR < 3 μm, TTV < 10 μm, BOW < 10 μm, rugosità < 0,5 nm
547,36 € SU AMAZON
Alpha Nanotech Inc.
Wafer di silice 6'' (152,4 mm) con strato di ossido termico 200 nm (Qtà: 1)
87
QUALITÀ AFFIDABILE
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#5
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Grado: Prime / CZ vergine;
Orientamento: 100;
Tipo/Dopant: P/Boro;
Superficie anteriore: lucidata; superficie posteriore: incisa.
TIR < 3 μm; TTV < 10 μm; BOW < 10 μm; rugosità < 0,5 nm.
70,27 € SU AMAZON
Alpha Nanotech Inc.
Wafer di silice 4'' (101,6 mm) con strato di ossido termico 200 nm (Qtà: 10)
82
QUALITÀ AFFIDABILE
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#6
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Grado: Prime / CZ vergine;
Orientamento: 100;
Tipo/Dopant: P/Boro;
Superficie anteriore: lucidata; superficie posteriore: incisa.
TIR < 3 μm; TTV < 10 μm; BOW < 10 μm; rugosità < 0,5 nm.
286,49 € SU AMAZON
Edições Nosso Conhecimento
Fresagem final de alta velocidade de wafer de silício de cristal único: Um método econômico de usinagem de silício no modo dúctil
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80
QUALITÀ BUONA
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#7
Edizioni Sapienza
Fresatura fine ad alta velocità di wafer di silicio monocristallino: Un metodo economico di lavorazione del silicio in modalità duttile
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74
QUALITÀ BUONA
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#8
Alpha Nanotech Inc.
Alpha Nanotech Inc. Wafer di silice 2'' (50,8 mm) con strato di ossido termico 200 nm (Qtà: 1)
75
QUALITÀ BUONA
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#9
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Grado: Prime / CZ vergine;
Orientamento: 100;
Tipo/Dopant: P/Boro;
Superficie anteriore: lucidata; superficie posteriore: incisa
TIR < 3 μm; TTV < 10 μm; BOW < 10 μm; rugosità < 0,5 nm.
32,53 € SU AMAZON
JEYI
JEYI Cool Warship NVME NGFF M.2 Dissipatore di calore Foglio di alluminio Conducibilità Termica Wafer di silicio Raffreddamento Nave da guerra Nvme Dissipatore di calore 2280m.2 (nero)
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70
QUALITÀ BUONA
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#10
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JEYI Dispositivo di raffreddamento del disco M.2 Cool Warship
Attrezzature di supporto: dischi M.2, come NVME NGFF
Installazione facile, ampia area di forte dissipazione del calore
A prova di polvere, CNC Seiko per creare, buona dissipazione del calore
Nota: questo articolo verrà installato dopo l'altezza di installazione di 8 mm, si prega di confermare che c'è abbastanza spazio per installare la parte superiore
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silicio wafer
wafer silicio
diossido di silicio
foglie di wafer
cialde di wafer
fogli di wafer
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